3，脉冲偏压

产生震动等离子体。在减小脉冲占空比的同时，进步脉冲电源的强度可使等离子体的密度和温度增大和增高。对所有类型的基片（导电&不导电）轰击结果加强。使得二次电子的生存时间增长，增大了碰撞机率，从而增长等离子体密度。调节脉冲频率和占空比可控制沉积速率。调节脉冲频率和占空比可控制温升，可在低温下成膜，避免击损基片原有组织。对于多弧，因为沉积速率过快，不适合进行电子器件等细密工件的膜层沉积。引入脉冲偏压可有用的改善。

在没有带电粒子参与的镀膜过程（如简单的蒸镀等），可以选用零偏压/悬浮偏压。

耐受温度较低的工件（如塑料件等）镀膜时，为了防止工件变形，可以选用零偏压/悬浮偏压或选用小占空比低幅值偏置电压。

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