等离子体加强化学气相沉积（PECVD）技术是一种薄膜制备的新技术，据贤集网小编了解，其原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，特别很是容易发生反应，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。为使化学反应在较低温度下进行，行使等离子体的活性来促进反应。等离子体加强化学气相沉积的制备工艺的设备组成原理图：

　　采用等离子体加强化学气相沉积（PECVD）技术制备薄膜材料时，薄膜的生长可分为以下过程：

　　a、初级反应：在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生反应，反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

　　b、次级反应：活性基团向薄膜生长外观和管壁扩散输运，同时各反应物间发生反应；

　　c、终极反应：初级与次级反应产物被吸附并与外观发生反应，同时有气相分子物放出。

　　等离子体加强化学气相沉积（PECVD）的重要好处是沉积温度低，对基体的结构和物理性子影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、非晶无机膜和有机膜。尽管有很多好处，但仍存在不足，一是经济成本，二是技术成熟度。在技术上，等离子体加强化学气相沉积无论是反应装配照旧工艺都有待改动和完美。

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