上海稷以科技-平板电极结构和等离子体沉积设备

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2022-08-08 14:03:27

摘要：本实用新型涉及等离子处理设备领域，公开了一种平板电极结构和应用了该种平板电极结构的等离子体沉积设备，平板电极结构包括：至少一个阴极和一个阳极，且这些阴极和阳极之间依次交替设置；其中，至少有一个阳极内形成有第一送气通道，且在阳极朝向阴极的一面的中部开有第一出气口，在阳极的边缘开有第一进气口；气体从第一进气口进入第一送气通道，从第一出气口排出，形成等离子体。本实用新型能够改善等离子体沉积薄膜的厚度均匀性。
申请人：上海稷以科技有限公司
地址： 200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室
发明(设计)人：唐玄玄王俊
主分类号： H05H1/34(2006.01)I
分类号： H05H1/34(2006.01)I C23C16/50(2006.01)I

摘要：本实用新型涉及等离子处理设备领域，公开了一种平板电极结构和应用了该种平板电极结构的等离子体沉积设备，平板电极结构包括：至少一个阴极和一个阳极，且这些阴极和阳极之间依次交替设置；其中，至少有一个阳极内形成有第一送气通道，且在阳极朝向阴极的一面的中部开有第一出气口，在阳极的边缘开有第一进气口；气体从第一进气口进入第一送气通道，从第一出气口排出，形成等离子体。本实用新型能够改善等离子体沉积薄膜的厚度均匀性。

申请人： 上海稷以科技有限公司

地址： 200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室

发明(设计)人： 唐玄玄王俊

主分类号： H05H1/34(2006.01)I

分类号： H05H1/34(2006.01)I C23C16/50(2006.01)I

法律状态

2018-01-30	授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

其他信息

主权项	一种平板电极结构，用于等离子体沉积设备，包括：至少一个阴极(2)和一个阳极(1)，且这些阴极(2)和阳极(1)之间依次交替设置；所述平板电极结构还包括电极支架，用于支撑所述阴极(2)和所述阳极(1)；其特征在于：至少有一个阳极(1)内形成有第一送气通道，且在所述阳极(1)朝向阴极(2)的一面的中部开有第一出气口(12)，在所述阳极(1)的边缘开有第一进气口(11)；气体从所述第一进气口(11)进入所述第一送气通道，从所述第一出气口(12)排出，形成等离子体。

公开号	206948696U

公开日	2018-01-30

专利代理机构	上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人	侯莉何静生

颁证日

优先权

国际申请

国际公布

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