导言

　　镀膜是半导体及光学工业中最为紧张的工艺之一。这里会总体归纳各类镀膜/薄膜工艺，从原理上了解这些工艺的异同。

　　简介

　　镀膜指在基材上形成从数纳米到数微米的材料层，材料可以是金属材料、半导体材料、以及氧化物氟化物等化合物材料。镀膜的工艺可以最简略的分为化学工艺及物理工艺：

　　化学方法

　　通常是液态或者气态的前体材料经过在固体外观的化学反应，沉积一层固体材料层。以下常见的镀膜工艺都是属于化学工艺：

　　◆ 电镀(Electroplating)：行使电解原理在某些金属外观上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是行使电解作用使金属或其它材料制件的外观附着一层金属膜的工艺

　　◆ 化学溶液沉积 Chemical solution deposition (CSD)：是行使一种合适的还原剂使镀液中的金属离子还原并沉积在基体外观上的化学还原过程。与电化学沉积不同，化学沉积不必要整流电源和阳极。Sol-Gel技术就是一种化学溶液沉积方法。

　　◆ 旋转涂覆法 Spin-coating：即在高速旋转的基片上，滴注各类胶液，行使离心力使滴在基片上的胶液均匀地涂覆在基片上，厚度视不同胶液和基片间的粘滞系数而不同，也和旋转速度及时间有关。通常也必要涂胶后的热处理来使胶状涂膜晶体化。对于高分子聚合物Polymer的薄膜涂覆比较有用，广泛应用于半导体的光感掩膜涂覆。

　　◆ 化学气相沉积 Chemical vapor deposition(CVD)：把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体外观上沉积固态薄膜的工艺技术。

　　◆ 等离子加强化学气相沉积 Plasma enhanced Chemical vapor deposition (PECVD)：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于行使了等离子的活性来促进化学反应，PECVD可以在较低的温度下实现。

　　物理方法

　　使用机械的、机电的、热力的方法来产生形成固态薄膜。通常是物理气相沉积的方法Physical vapor deposition(PVD)。以下是常见的物理镀膜工艺：

　　◆ 热蒸发镀膜(Thermal evaporation)：将薄膜物质加热蒸发，在比蒸发温度低的基本外观上凝结成固体形成薄膜的方法。

　　→电子束蒸发镀膜 (Electron beam evaporation); 通过电子束轰击镀膜材料加热并使材料蒸发，并沉积在基板上。好处是加热集中，并能达到很高的温度来处理高熔点的材料。

　　→离子束辅助沉积 (Ion assisted deposition IAD); 类似于E-beam evaporation工艺，改善的地方是用离子束来导向及加速气化的镀膜材料，并且离子束在材料沉积的过程中帮助沉积以及使沉积膜紧密化，就像小小的锤子一样。

　　→电阻加热蒸发镀膜(Resistive heating evaporation)；通过高电流电阻加热使镀膜材料气化，不适用于高过1600度熔点的材料

　　→分子束外延Molecular beam epitaxy (MBE)

　　◆ 溅射镀膜(Sputtering)：高能量的原子、分子与固体在碰撞后，原子会被赶出固体外观。这种征象称为溅射( Sputter )或者是溅镀( Sputtering )，被碰撞的固体称为靶材( Target )。通过高能量的原子、分子会反复碰撞，靶材会被加热，为了防止消融，会从背面进行水冷。

　　→传统溅射，通过高电压使靶材四周的氩气离子化，并通过高电位差获得加速，并轰击靶材外观，轰出外观的靶材原子蕴蓄在基板上，形成薄膜。

　　→射频溅射 RF sputtering，射频溅射是行使射频放电等离子体中的正离子或电子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板外观的技术。相比传统溅射的好处是不会产生正电荷蕴蓄，降低电位差，从而停止溅射。

　　→离子束溅射 Ion beam sputtering (IBS)，来自于自力离子枪的高能量离子束轰击靶材外观，溅镀好的材料沉积在基板上。其间形成着的镀膜化学计量和靶材千篇一律。

　　◆ 脉冲激光沉积 (Pulsed laser deposition PLD)：是一种行使聚焦后高功率脉冲激光对真空中靶材进行轰击，因为激光能量极高，使靶材气化形成等离子体Plasma plume，然后气化的物质沉淀在衬底上形成薄膜。

　　结语

　　这里给出半导体及光学镀膜工艺的一个最广泛的分类介绍，而以后的笔记中会包含对于光学镀膜最常见工艺的比较与分析，这些工艺包括E-beam, IAD, IBS。