1.标准环境条件 standard ambient condition： 温度为20

℃，相对湿度为65%，大气压力为101325Pa=1013.25mbar=760Torr。

2.气体的标准状况 standard reference conditions for gases：温度为0℃，压力为：101325Pa。

3.压力（压强）p pressure：气体分子从某一假想平面通过时，沿该平面的正法线方向的动量改变率，除以该平面面积或气体分子作用于其容器壁外观上的力的法向分量，除以该外观面积。注：“压力”这一术语只适用于气体处于静止状况的压力或稳固流动时的静态压力。

4.帕斯卡Pa pascal：国际单位制压力单位，1Pa=1N/m2。

5.托Torr torr：压力单位，1Torr=1/760atm。

6.标准大气压atm standard atmosphere：压力单位，1atm=101325Pa。

7.毫巴mbar millibar：压力单位，1mbar=102Pa。

8.分压力 partial pressure：混合气体中某一组分的压力。

9.全压力 total pressure：混合气体中所有组分压力的总和。

10.真空 vacuum：在指定空间内，低于环境大气压力的气体状况。

11.真空度 degree of vacuum：透露表现真空状况下气体的淡薄程度，通常用压力值来透露表现。

12.真空区域 ranges of vacuum：真空区域大致划分如下：
真空区域          压     力
                  Pa         Torr
低真 空       10⁵～10²       760～1
中真 空       10²～10^-1     1～10^-3
高真 空       10^-1～10^-5     10^-3～10^-7
超高真空       <10^-5       <10^-7

13.气体 gas：不受分子间相互作用力的束缚且能自由地占有任意空间的物质。注：在真空技术中，“气体”一词不严酷地应用于非可凝气体和蒸汽。

14.分子数密度n，m-3 number density of molecules：在某瞬时，气体中某点四周体积内的分子数，除以该体积。

15.平均自由程ι、λ，m mean free path：一个分子与其它气体分子每延续二次碰撞走过的路程，叫自由程。相称多的不同自由程的平均值，叫平均自由程。

16.碰撞率ψ collision rate：在给定的时间间隔内，一个分子（或其它规定粒子）相对于其它气体分子（或其它规定粒子）活动，受到的平均碰撞次数，除以该时间。这个平均碰撞次数是应在充足多的分子数和充足长的时间间隔下取得。

17.体积碰撞率χ volume collision rate：在给准时间间隔内，在围绕规定一点的空间范围内气体分子间的平均碰撞次数，除以该时间和该空间范围体积。所取时间间隔和体积不应太小。

18.气体量G quantity of gas：处于平衡状况的理想气体所占据的体积同其压力的乘积。此值必须注明气体温度或换算成20℃时的数值。注：气体量是指该量气体所占体积内气体内禀能量（或位能）的2/3。

19.气体的扩散 diffusion of gas：气体因为浓度梯度而在另一种介质中的活动。介质可以是另一种气体（这种情况下的扩散称之为互扩散）或者是可凝聚物质。

20.扩散系数D diffusion coefficient; diffusivity：通过单位面积的质量流率的绝对值同该单位面积的法向浓度梯度之比。

21.粘滞流 viscous flow：气体分子的平均自由程远小于导管最小截面尺寸的流态。因此，流动取决于气体的粘滞性，粘滞流可以是层流或滞流

22.粘滞系数η viscous factor：在气流速度梯度方向单位面积上的切向力与速度梯度之比。

23.吸附 sorption：固体或液体（吸附剂）对气体或蒸汽（吸附质）的捕集征象。

24.外观吸附 adsorption：气体或蒸汽（吸附质）存留在固体或液体（吸附剂）外观上的吸附征象。

25.物理吸附physisorption：因为物理作用的吸附征象。

26.化学吸附 chemisorption：因为化学作用的吸附征象。

27.吸取absorption：气体或蒸汽（吸附质）扩散进入到固体或液体（吸附剂）内部的征象。

28.适应系数α accommodation factor：入射到某一外观的粒子和该外观现实交换的平均能量与粒子在该外观上达到完全的热平衡条件所应当交换的平均能量之比。

29.入射率υ impingement rate：在给准时间间隔内，入射到外观的分子数，除以该时间和该外观面积。

30.迁移 migration：分子在外观上的移动。

31.解吸 desorption：被材料吸附的气体或蒸汽的释放征象。释放可以是天然的，也可用物理方法加速。

32.去气 degassing：气体从材料中人为的解吸。

33.放气 outgassing：气体从材料中天然的解吸。

34.解吸或放气或去气速率qGU desorption or outgassing or degassing rate：在给准时间间隔内，从材料中解吸（或放气或去气）的气体流量（或分子流率），除以该时间和该外观面积。

35.蒸发率 evaporation rate：在给准时间间隔内从外观上蒸发的分子数（或物质量或物质质量）除以该时间和该外观面积。

36.粗抽时间roughing time：前级真空泵或前级真空抽气装配从大气压抽至基础压力或抽至在较低压力下工作的真空泵的起动压力所必要的时间。

37.抽气时间pump-down time：将真空体系的压力从大气压降低到肯定压力，例如降到基础压力所必要的时间

38.真空密封圈ring gasket：一种环形真空密封件。注：有各种不同截面外形的真空密封圈，例如：“O”形密封圈 ，“V” 形密封圈，“ L” 形密封圈和其它型材的密封件（金属型材密封件）。

39.观察窗viewing window：作为观察装配运转情况的一种真空窗。注：在某些应用场合必须对观察窗的光学性能提出肯定的要求。

40.充气阀charge valve：把气体充入真空体系的阀。

41.进气阀gas admittance valve：将气体放入到真空体系中的一种真空控制阀。

42.真空截止阀break valve：用来使真空体系的两个部分相隔离的一种真空阀。通常它不能当作控制阀使用。

43.前级真空阀backing valve：在前级真空管路中用来使前级真空泵和与其相连的真空泵隔离的一种真空截止阀。

44.旁通阀 by-pass valve：在旁通管路中的一种真空截止阀。

45.电磁阀electromagnetically operated valve：用电磁力为动力开闭的阀。

46.挡板阀baffle valve：阀板沿阀座轴向移动开闭的阀。

47.翻板阀flap valve：阀板翻转一个角度开闭的阀。

48.插板阀gate valve：阀板沿阀座径向移动开闭的阀。

49.蝶阀butterfly valve：阀板绕固定轴在阀口中转动开闭的阀。

50.前级泵：用于维持某一真空泵前级压强低于其临界前级压强的真空泵。如罗茨泵前配置的旋片或滑阀泵就是前级泵。

51.粗抽泵：从大气压下开始抽气，并将体系压力抽到另一真空泵开始工作的真空泵。如真空镀膜机中的滑阀泵，就是粗油泵。

52.维持泵：在真空体系中，气量很小时，不能有用地行使前级泵。为此配置一种容量较小的辅助泵来维持主泵工作，此泵叫维持泵。如扩散泵出口处配一台小型旋片泵，就是维持泵。

53.真空镀膜 vacuum coating

   在处于真空下的基片制取膜层的一种方法。

54.基片 substrate

   膜层承受体。

55.试验基片 testing substrate

   在镀膜开始、镀膜过程中或镀膜结束后用作测量和（或）试验的基片。

56.镀膜材料 coating material

用来制取膜层的原材料。

57.溅射材料 sputtering material

在真空溅射中用来溅射的镀膜材料。

58.膜层材料（膜层材质） film material

组成膜层的材料。

59.溅射速率 sputtering rate
   在给准时间间隔内，溅射出来的材料量，除以该时间间隔。

60.沉积速率 deposition rate

   在给准时间间隔内，沉积在基片上的材料量，除以该时间间隔和基片外观积。

61.镀膜角度 coating angle

   入射到基片上的粒子方向与被镀外观法线之间的夹角。

62.真空溅射 vacuum sputtering

   在真空中，惰性气体离子从靶外观上轰击出原子（分子）或原子团的过程。

63.离子束溅射  ion beam sputtering

   行使特别的离子源获得的离子束使靶的溅射。

64.辉光放电离子清洗 glow discharge cleaning

   行使辉光放电原理，使基片以及膜层外观经受气体放电轰击的清洗过程。

65.物理气相沉积 PVD physical vapor deposition

   在真空状况下，镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化，沉积到基片上的一种制取膜层的方法。

66.化学气相沉积 CVD chemical vapor deposition

   肯定化学配比的反应气体，在特定激活条件下（通常是肯定高的温度），通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。

67.磁控溅射 magnetron sputtering

   借助于靶外观上形成的正交电磁场，把二次电子约束在靶外观特定区域，来加强电离服从，增长离子密度和能量，因而可在低电压，大电流下取得很高溅射速率。

68.等离子体化学气相沉积：PCVD  plasma chemistry vapour deposition

   通过放电产生的等离子体促进气相化学反应，在低温下，在基片上制取膜层的一种方法。

69.空心阴极离子镀  HCD hollow cathode discharge deposition

   行使空心阴极发射大量的电子束，使坩埚内镀膜材料蒸发并电离，在基片上的负偏压作用下，离子具有较大能量，沉积在基片外观上的一种镀膜方法。

70.电弧离子镀 arc discharge deposition

   以镀膜材料作为靶极，借助于触发装配，使靶外观产生弧光放电，镀膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种镀膜方法。

71.靶 target

   用粒子轰击的面。

72.挡板 shutter

用来在时间上和（或）空间上限定镀膜并借此能达到肯定膜厚分布的装配，挡板可以是固定的也可是运动的。