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·上海稷以科技-导气杆、真空腔和真空等离子体设备

摘要: 本发明涉及真空等离子体设备领域,公开了一种导气杆、真空腔和真空等离子体设备,导气杆设置于真空等离子体设备的真空腔内,其外壳围合形成中空腔体,端部设置有气体入

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2022-08-08 浏览次数:789
上海稷以科技-在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品

摘要: 本发明提供一种在物体表面形成保护层的方法,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,其中,R1、

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2022-08-08 浏览次数:767
佛山思博睿科技-基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的方法

择要: 本发明公开一种可正确控制每层厚度、以及均匀度,增长膜层与基体粘合力的低压等离子化学气相沉积的方法,本方法步骤如下:a.往反应腔内放置基体工件,对反应腔进行抽真

WaterOff
2022-08-08 浏览次数:750
佛山思博睿科技-基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装配

择要: 本发明提供了一种基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装配,包括:用于放置基体工件的真空的反应腔;向所述反应腔内持续供应氧气的氧气输送体系;向所述 反应

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2022-08-08 浏览次数:748
佛山思博睿科技一种可进步膜层纯度的等离子法沉积膜层的装配

择要: 本发明公开一种膜层纯度高,可正确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装配,包括有反应室、抽气设备、气体输送体系和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送体系与反应室连

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2022-08-08 浏览次数:743
佛山思博睿科技一种多路气体切换供气而总供气量恒定的真空反应体系

择要: 本发明公开一种无论多路气路如何切换,都可以保证流量器流出气量稳固的真空反应体系,包括有多条主气路和真空反应腔,每条主气路与真空反应腔连接,在主气路上沿供气方

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2022-08-08 浏览次数:772
佛山思博睿科技-基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装配

择要: 本实用新型提供了一种基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装配,包括:用于放置基体工件的真空的反应腔;向所述反应腔内持续供应氧气的氧气输送体系;向所述反

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2022-08-08 浏览次数:763
发明专利气体阻隔性膜

申请号: CN201480006796.X (进入下载页) 申请日: 2014-01-31 申请/专利权人: 柯尼卡美能达株式会社 公开/通知布告号: CN104968492A 发明/设计人: 伊东宏明 公开/通知布告日: 2015-10-07 主分类

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2022-08-08 浏览次数:769
HZO-监测电子装配接触水分并作出反应的方法、装配和体系

择要: 用于监测电子装配接触到水分的体系和方法可改变或变更电子装配的操作。可以改变或变更电子装配的操作以提供电子装配接触到水的关照。当电子装配接触到水时,可改变电子

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2022-08-08 浏览次数:751
HZO-可以穿过其建立电连接的不渗透珍爱涂层以及包括不渗透珍爱涂层的电子设备

择要: 本发明公开了珍爱涂层,所述珍爱涂层被配置成用于在电子设备内覆盖电子部件,同时使得能够行使由所述珍爱涂层覆盖的电触点来建立电连接。这种珍爱涂层可以包括聚对二甲

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2022-08-08 浏览次数:752
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